MOS管G极串联电阻如何抑制谐振？
L、C的值的影响
除了内阻和负载大小，电感和电容值的大小有没有影响呢？
电容变化：电容分别为1uF，10uF，100uF，内阻，负载，电感都为Rs＝0．1，RL＝1MΩ，L＝1uH。
可以看到，电容增大，尖峰变小，也就是说，在遇到谐振引起噪声增大的情况，可以尝试增大电容是可以降低噪声。不过需要注意，尖峰变小，只是说最高点变小了，但是引起了谐振频率降低，新的谐振点可能还是要比原来的增益更高，也就是说如果噪声正好是这个频率段，那么改变之后效果变更差了。当然了，如果我们加更大的电容，即使是谐振点都没有放大作用，比如如果电容加到100uF，整个频段基本都没有放大作用了。
实际电路具体加到多大的电容，完全不会出现尖峰呢？这个跟信号源内阻Rs，负载阻抗RL，电感值L都有关系。实际上，如果内阻Rs从0．1提升到1，电容不用增大到100uF，即使是原来的1uf也不会有尖峰，曲线就不画了。
电感变化：电感分别为0．01uH，0．1uH，1uH，内阻，负载，电容都为Rs＝0．1，RL＝1MΩ，C＝1uF
可以看到，减小电感，可以降低尖峰的高度。我们如果继续减小电感到0．01uH，尖峰也会消失。同样的，电感变化会造成谐振频率移动，具体是使噪声变大还是变小也是要依情况而定，与内阻，负载，电容都有关系。
总的来说，大部分电路增大电容，或者减小电感，都可以降低尖峰。如果LC滤波器用于电源滤波发生噪声变大，可以增大电容，或者减少电感。
这里之所以说大部分电路，是因为如果满足一定的Rs，RL的条件，可能结果是相反的，这个可以自己修改Matlab代码（后文分享出来）里面的参量，执行下就知道了。
MOS管G极串联电阻如何抑制谐振
有了以上的基础，我们来看实际的问题：MOS管G极串联电阻如何抑制谐振？
这个问题，我们首先要明白，问题是如何产生的，即为什么会振荡？其实通过前面的铺垫，也就很明白了。
这个是典型的MOS管驱动电路，串联了10Ω电阻。
尽管从电路图上看去，上面既没有电感，也没有电容。但实际上是，我们PCB总要将线从驱动芯片拉到MOS管，我查了一下，线宽12mil，长度10mm的走线寄生电感是9．17nH。实际电路中10mm走线太正常了，所以寄生电感肯定是存在的。
电感有了，电容呢？功率MOS管都有输入电容存在，并且还不小，小的几百pF，大点的几nF。我们只是为了说明道理，那取电容1nF吧。
一般来说，左边驱动管子发出开关信号，它的内阻一般不会很低，尽管现在不知道它到底是多大，那就按照比较恶劣的情况来看，就让Rs＝0．1Ω。
那么负载电阻是多大呢？负载是MOS管，那阻抗就很大了，就取RL＝1MΩ。
看看现在的等效电路：
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