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株洲南车投资2.4亿美元IGBT生产工厂揭牌

2014-07-14 00:52
来源: 工控网

  中国半导体制造商株洲南车时代电气股份有限公司投资2.4亿美元建设的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)生产工厂已揭牌。工厂引用公司在英国的子公司丹尼克斯半导体的技术,据说是中国第一世界第二间IGBT生产工厂。

  这间位于株洲的新工厂将使用8英寸硅片生产高功率IGBT芯片和组件。在第一期运营中,工厂将年产12万片晶片和100万个IGBT组件。

  公司新的IGBT生产线由其欧洲子公司丹尼克斯半导体运营。

  而新设备所使用的技术则由位于英国林肯州的株洲南车时代跨国研发中心开发。该中心于2010年成立,致力于高端电力半导体技术尤其是下一代IGBT产品的研发。

  新生产线花了两年多的时间才最终建立起来。在建设期间,丹尼克斯则提供技术建议、技术支持及员工培训。

  在变速驱动器、火车、电动及混合动力汽车、电网和可再生能源发电站所使用的高效电能转换系统中,IGBT是一个非常重要的部件。新生产线最开始将使用高压软穿通field-stop和trench技术生产高功率组件。

  “自2008年南车时代电力收购丹尼克斯之后,我们的IGBT生产能力得到了快速提高,”丹尼克斯总裁兼首席执行官PaulTaylor博士表示,“我们首先在林肯郡工厂开始生产4英寸的晶片,然后升级到6英寸。之后我们又将技术用于支持这些新设备的设计。我们可以利用世界顶尖的8英寸IGBT晶片生产设备及大容量组件装配线,这对我们的英国生产基地是一个很好的补充。”

  “我们的快速发展并不会止于此,”他补充说到,“新的生产线已经配置了最新的生产设备,而我们也在计划下一阶段的扩张,扩张的目标主要瞄准电动汽车市场和可再生能源市场。所以,一方面我们的英国研发中心现在已经开始设计下一代先进硅及碳化硅动力设备,另一方面,我们正忙于招兵买马扩大我们的跨国研究、设计和开发团队以应对这个让人激动不已的新挑战。”

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