IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载查看详情>流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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时代电气：在轨道交通飞奔，还是另乘IGBT东风？
－ 这是 海豚投研 的第 391 篇原创文章 －一年的时间暴涨3倍，然后又重新跌落回来。中车时代电气是有硬实力的科技公司，还是一个扎根于传统行业的服务商？海豚君和大家来一起看看，这暴涨暴跌的公司，是蹭
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垄断大厂供货延期,国内IGBT供需差距拉大
2020年注定是缺货加价的特殊年份,半导体供需拉大,国内产能产量无法满足。在8英寸晶圆缺货后,这一趋势将逐步从显示驱动IC、电源IC、MOSFET、IGBT等路径蔓延,这导致车规级半导体MCU均已开始了缺货潮。
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中科同志真空回流焊炉亮相第五届IGBT国际论坛
近日，中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛在湖南株洲召开。覆盖功率半导体材料、芯片、模块、设备等行业产业链，来自于国内外的几十家企业参展。
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高铁 IGBT 芯片日本三菱垄断 50 年，中车株洲 6 年时间终于打破
中国的高铁可以说是全世界最为先进的，近日，发改委发布数据称中国高铁突破3万公里 ，居世界第一。2011年，京沪高铁开通运营，这是当时世界上一次建成线路里程最长的高铁。尽管我们不是最早研发高铁，但是我们凭借着后发优势，成功领跑世界
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IGBT等核心电子器件成为变频器研发筹码
变频器市场中，高压变频器一直占据重要位置，而低压变频器则增长缓慢，但从2011年起，低压变频器一改低迷态势，以30%加速发展的高姿态呈现出供不应求的局面。
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六代IGBT设计和制造技术的发展概况
据报道，IGBT功率半导体器件自上世纪八十年代中期问世后，受到应用者的热烈欢迎，大量使用在电力电子装置上，使装置进入了一个突飞猛进阶段。IGBT也越来越深入人心。
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