SK海力士宣布开发第三代1Znm内存芯片
2019-10-21 14:39
来源：
亿欧网
10月21日，据TechWeb消息，SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM，据称，这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16GB，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。与上一代1Y产品相比，该产品的生产率提高了约27％，由于可以在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产，其在成本上具有竞争优势。
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