10.RCD吸收电路设计分析

RCD是比较常用的吸收电路，主要是吸收漏感的能量以限制开关管上的尖峰电压。相信大家都清楚，RCD如果做的太强的话会对效率有很明显的影响，那自然也会影响轻载效率和待机功耗。

如果考虑到待机状态下电源都是工作在极低频率的Burst状态下的话，实际上C的大小对待机功耗的影响比R要大得多，因为每次C都会充满再放光的。这部分能量就像一个假负载挂在那里 一样，后面用测试Data来进行评估！

从这个角度出发有一种做法是把C彻底拿掉，用一个TVS来代替这样就拿掉了这个假负载！

下面我再来对实际的应用产品进行测试数据给出参考Data!

说明调测待机功耗时=与下列参数有关：系统功率接近75W设计！

A.VCC绕组空载的最低电压,辅助绕组的限流电阻（绕组端）决定IC的空载电压过低IC-HV会启动影响待机功耗，过高负载电阻会消耗功耗，推荐10V-VDD；

B.注意TL431的补偿参数的影响

C.PC817B/A: 考虑光耦的电流传输比问题

D.RCD吸收回路中；电容C=2200PF常用，C略大会增大待机功耗（比如4700PF）

E.MOS管的限流功率电阻：取值要求90VAC输入时 1.3倍的过载保护设计！

最后一项会决定待机的脉冲的间隔时间空载的间隔时间>10mS（基本要求）

注意检查待机功耗时；25KHZ的的脉冲数要小于5根 空载间隔时间>10mS

2根脉冲就将待机调到极限！12V输出带10mA负载间隔时间>5mS（基本要求）

2.实际的数据测试参考（TL431及光耦设计电路标准化）保证可靠性前提！

A．RCD吸收电路C=2200PF 电阻R=100K/2W 

CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC)  5根脉冲；间隔时间14.58Ms

B．RCD吸收电路C=4700PF 电阻R=100K/2W 

CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC)  5根脉冲；间隔时间14.38Ms

C．RCD吸收电路C=2200PF 电阻R=100K/2W 12V/10mA 

CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC)  5根脉冲；间隔时间5.568Ms 

D．RCD吸收电路C=4700PF 电阻R=100K/2W 12V/10mA 

CH1:VDD(IC) CH2:DRV(IC)CH3:CS(IC)  5根脉冲；间隔时间5.4720Ms

我通过简单的实战测试提供对FLY-开关电源系统的待机及轻载时的功耗进行测试，可以快速指导优化无负载及极轻负载的功耗分析思路！如果你想追求极限可以通过理论加实践试试吧！

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杜佐兵 

电磁兼容（EMC）线上&线下高级讲师

杜佐兵老师在电子行业从业近20年，是国家电工委员会高级注册EMC工程师，武汉大学光电工程学院、光电子半导体激光技术专家。目前专注于电子产品的电磁兼容设计、开关电源及LED背光驱动设计。

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