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三菱电机为其碳化硅MOSFET开发高精确度电路模拟技术

近日,在于线上举办的2020年PCIM Europe展会上,三菱电机宣布开发出一种具备高度精确性的集成电路通用模拟程序(SPICE)模型,以分析分立半导体/功率器件的电子电路。

三菱表示,通过该模型模拟出的高速开关波形与实际测量结果几乎一模一样,这种精确度从目前看来,是行业内其他技术所无法比拟的,有望为电力转换器带来更高效的电路设计。

同时,三菱电机也计划在之后继续为其增加几个与温度相关的参数,使SPICE模型在高温下也能正常运行。

这项技术会被应用于三菱电机N系列1200V碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)样品中,该样品将从7月开始发货。碳化硅MOSFET是三菱电机于今年六月中旬推出的新产品,它能够根据施加在栅极上的电压来控制从漏极到源极的电流(漏极电流),实现快速的开关操作,降低操作损耗,不仅适用于光伏系统等工业应用,应用范围还包括电动汽车车载充电器等等。

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