美国总统奥巴马宣布成立制造创新研究院

2014-01-21 08:30

　　美国总统奥巴马宣布花费14亿美元成立一个机构，将负责电力电子方面的管理，以达到加强美国制造业，促进先进制造业和创造高收入就业机会的目标。当天，奥巴马总统还访问了芬兰驱动器制造商Vacon的研发中心。

　　成立新机构目的是使宽禁带半导体技术（WBG）的成本在五年内与目前基于硅的电力电子技术相比具有竞争力。如果做到这一点，就可能使新一代的应用范围变得更小、更快、更便宜、更高效，包括电机控制和可再生能源，以及电动汽车和消费产品。

　　宽禁带半导体比硅为基础的技术更有效，有效率高达90%。且宽禁带半导体能在更高的温度中运作，在高电压和频率下更耐用。宽禁带半导体预计收缩尺寸，如小功率转换器件的尺寸。

　　宣布成立该机构之后，奥巴马总统称："宽禁带设备可以让手机、工业电机甚至电动车，更小、更快、更便宜。而率先做到的国家，率先做得最好的企业，都能随之吸引更多的就业机会。"

　　新研究院，设在北加罗林州立大学，旨在弥合应用研究和产品开发之间的差距，与美国联邦机构、企业，大学和其他组织之间共享成本。美国能源署未来五年内将出资7000万美元给该机构，以及北卡罗来纳州，18家企业如ABB、德尔福、东芝和Vacon等的资金，建成一所和七所大学和实验室的状态相匹配的研究院。

　　该研究所将为电力电子公司提供共享设施、设备，测试和建模能力，特别是小型和中型制造商。这将帮助他们创造和制造新的半导体芯片和其他设备。

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