DRAM
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而查看详情>导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
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SK海力士公布新款DRAM，称实现单晶圆存储量最大
在推进DRAM的制造技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有停止过前进的步伐。10月21日，SK海力士宣布了开发基于第三代1Z纳米（10nm）工艺的DDR4动态随机存储器（DRAM），称将实现单一芯片标准内世界最大容量的16GB，即在一张晶圆中能生产的存储量达到现存的DRAM中最大
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国内 DRAM 空白终于被填补，长鑫存储集成电路项目已签约
9月23日讯，世界制造业大会上，长鑫存储引人注目。总投资超过2200亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目在合肥签约，其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资约1500亿元。长鑫存储技术有限公司是中国
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