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新华三与长江存储共同推进自主创新存储芯片的研发与应用

2019-10-28 11:04
来源: 21IC电子网

近日,紫光旗下新华三携手长江存储,整合中国顶尖的存储芯片资源,成功地将3D NAND芯片产品融入服务器产品之中。

今年9月初,紫光集团旗下的长江存储宣布量产64层堆栈的3D闪存,采用了自研Xtacking架构,核心容量256Gb。今天紫光集团又宣布旗下新华三公司将在自家服务器产品中使用长江存储闪存,共同推动在中国市场自主创新存储芯片的研发与应用。

随着云计算、大数据、物联网等领域的发展,未来市场对存储器的需求会持续增加。有数据显示,我国存储器的消耗量占全球总消耗量的三成以上(2019年第一季度世界半导体贸易统计WSTS 发布的统计数据),其中大部分存储器芯片需要进口,可以说,在中国芯片产业的发展过程中,存储芯片是十分关键的发展领域。

众所周知,芯片是信息时代的粮食,其中存储器芯片应用领域十分广泛。作为中国存储芯片的领头羊,长江存储从成立至今,在短短3年时间内先后研发成功并量产了国内首款32层3D NAND闪存和64层3D NAND闪存,同时凭借着国内庞大的内需市场、优秀的自主研发能力,以及国际水准的产能,担负起推动国内存储器自主创新、加速发展的重要使命。此次新华三集团与长江存储携手,正是将这些国内领先的研发技术和存储芯片引入到服务器产品中,推动优秀自主创新方案的落地生根,更好的满足企业对高速、大容量存储解决方案的需求。

2017年,长江存储成功研发了中国首颗拥有自主知识产权的32层MLC 3D NAND闪存芯片,实现了中国三维闪存产业“零”的突破。该芯片的存储容量为8GB至32GB,目前已通过企业级验证并进行小规模的批量生产,主要应用在U盘,SD卡,机顶盒及固态硬盘等领域。

此后,长江存储基于不断的自主研发和创新,推出了第二代具备完全自主知识产权的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,它拥有全球同代产品中最高的存储密度,将广泛应用在智能手机,个人电脑,服务器等领域。长江存储64层三维闪存既是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,也是中国企业首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产,标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。

提到Xtacking技术,不得不说,这是长江存储在3D NAND闪存架构上的一次重大创新,在世界闪存发展史上具有举足轻重的意义。通过芯片架构设计上的变化,Xtacking能够使3D NAND闪存拥有更快的I/O传输速度,使3D NAND闪存能拥有更高的存储密度,相比传统架构,芯片面积可减少约25%。同时,Xtacking技术还实现了模块化的设计工艺,能够有效提升了研发效率并缩短了生产周期,为NAND闪存的定制化提供了更多可能。目前,Xtacking?技术被主要应用在长江存储64层及更高规格的三维闪存上。

为了给行业用户带来更多的价值,长江存储未来还将推出Xtacking2.0创新架构。作为升级换代技术,Xtacking2.0将够进一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开拓定制化NAND全新商业模式等。未来,Xtacking2.0技术将应用在长江存储第三代3D NAND闪存产品中,会广泛应用于数据中心,企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域,这将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。

新华三集团将领先的长江存储闪存引入服务器产品线,将在应用实践中加速中国存储芯片与服务器的融合发展,进一步推动计算产品和架构的迭代。新华三也将在10月24日以“至极之道,智造未来”为主题的计算节期间,重点展示长江存储产品自主创新的领先技术,以及更加安全、可靠、可信的计算产品。这些产品将在新华三“至简,至信,至慧”的智慧计算理念下,更好的满足企业用户的不同需求,为企业的数字化转型赋能。

新华三指出,长江存储未来还将推出Xtacking 2.0创新架构,将应用在长江存储第三代3D NAND闪存产品中,会广泛应用于数据中心,企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。

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