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Vishay推出新款AEC-Q101认证的30V和40V P沟道MOSFET

导读: 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30V和40V汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET——SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK SO-8L封装,有效提升板级可靠性。

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30V和40V汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET——SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK SO-8L封装,有效提升板级可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通过AEC-Q101认证,占位面积比DPAK封装器件减小50%以上,节省PCB空间并降低成本,同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构5mm x 6mm封装MOSFET。

Vishay推出新款AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET,有效提高板级可靠性

由于需要很高功率,12V汽车系统马达驱动和主电源要求MOSFET在各种应用中具有极低的导通电阻,如电池反向极性保护和高边开关。Vishay Siliconix -30V SQJ407EP和-40V SQJ409EP在10 V条件下,导通电阻分别为4.4mW和7.0mW,完全可以满足这种要求。此外,作为p沟道MOSFET,两款器件是理想的负载开关,不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。

日前发布的MOSFET工作温度可达+175 °C,同时鸥翼引线结构可缓解温度循环过程中、主板弯曲、振动和意外跌落产生的机械应力,与刚性QFN封装相比,具有更加优异的板级可靠性。鸥翼引线结构还有助于自动光学检测 (AOI) 过程获得更加一致可靠的结果。

器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。

SQJ407EP和SQJ409EP现可提供样品并已实现量产。

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、通信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。

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