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三菱电机扩大“X系列HVIGBT模块”产品阵容

导读: 三菱电机株式会社将自9月起陆续发售“X系列HVIGBT※1模块”8个产品(包含电压等级3.3kV、4.5kV、和6.5kV)。此次发售的产品是功率半导体模块的新产品,主要用于需要高耐压、大电流、高可靠性的铁路牵引。

三菱电机株式会社将自9月起陆续发售“X系列HVIGBT※1模块”8个产品(包含电压等级3.3kV、4.5kV、和6.5kV)。此次发售的产品是功率半导体模块的新产品,主要用于需要高耐压、大电流、高可靠性的铁路牵引、电力传输、大型工业设备等领域。本产品将在“TECHNO-FRONTIER 2017 -MOTORTECH JAPAN-”(4月19-21日本幕张举行)“PCIM※1 Europe 2017”(5月16-18日于德国纽伦堡举行)以及“PCIM※1 Asia 2017”(6月27-29日于中国上海举行)上展出。

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X系列HVIGBT模块

※1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor:高压绝缘栅型双极晶体管

新产品的特点

1.实现行业顶级水平的额定电流,为逆变器的大容量化做贡献

·在“X系列”中增加3.3kV级(1200A/1800A)、4.5kV级(900A/1350A/1500A)、6.5kV级(600A/900A)共计8个产品

·3.3kV、4.5kV级实现了行业顶级水平※2的额定电流1800A、1500A,可实现更大容量的逆变器

※2 截至2017年4月5日,根据本公司的调查

2.应用第7代IGBT和RFC二极管,为逆变器的小型化做贡献

?采用三菱CSTBTTM※3结构的第7代IGBT和RFC二极管※4 硅片技术,与以往产品相比※5,功率损耗降低

约20%

·与具有相同耐压和额定电流的以往产品※5相比,外形尺寸大约缩小33%,可为逆变器的小型化做贡献

·全系列产品实现了150℃的工作保证温度,因此可以简化逆变器冷却系统设计,有利于逆变器的小型化

※3 载流子存储式沟槽栅型双极晶体管

※4 Relaxed Field of Cathode:本公司独有二极管,提高了阴极侧电子迁移率

※5 X系列CM1200HC-66X与H系列CM1200HC-66H的比较

3.通过优化封装结构,为提高逆变器的可靠性做贡献

·通过优化封装内部结构,提高散热性、耐湿性、阻燃性,延长产品寿命

责任编辑:lime
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