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罗姆推出耐压80V级DC-DC转换器

—— 欲当“工业用途和车载业务的王牌”

导读: 罗姆开发出了配备耐压80V的MOSFET的非绝缘型DC-DC转换器,并在“CEATEC JAPAN 2015”上展出。

  罗姆开发出了配备耐压80V的MOSFET的非绝缘型DC-DC转换器,并在“CEATEC JAPAN 2015”上展出。这是该公司首款80V耐压的DC-DC转换器,将从2015年10月开始量产,月产规模为6万个。样品价格为每个600日元(不含税)。

  这款产品适用于工业设备、车载设备及通信设备等使用48V电源的电源电路。罗姆一直在努力提高面向工业及车载领域的产品的销售比例。截止2015年,工业领域用产品在总销售额中所占的比例为9%,车载领域用产品则占26%。该公司的目标是将这两个领域的产品所占的比例分别提高到10%和30%。此次的产品就是实现这一目标的“战略产品”。

  此次,罗姆通过改善BiCDMOS工艺,使耐压80V的产品实现了实用化。对于使相邻元件绝缘(隔离)的外延层,让其分两步生长,从而减小了芯片尺寸。如果使其一次性生长,就会增大芯片面积,使价格升高。

  新产品的外形尺寸仅为6mm×4.9mm×1mm,端子个数为8个。输入电压为12~76V,最大输出电流为3A。

  效率高,周边部件少

  此外,新产品与竞争对手相比有三大特点。第一是效率高,电流在1A以下时的效率尤其高。

  第二,内置了短路保护电路。当输出端子发生短路,有很大的电流通过,导致芯片发热时,可在20ms内停止工作,防止产品损坏。

  第三,周边部件少。其他公司有些产品需要17个外置部件,而罗姆的这款产品只需要12个。

  正在开发90nm的BiCDMOS工艺

  据罗姆介绍,为了强化模拟半导体业务,还在推进BiCDMOS工艺的微细化。现在的0.13μm工艺是该公司的第5代工艺,该公司正在大力开发新一代的90nm BiCDMOS工艺。

  例如,罗姆在制造配备闪存等的USB PD用控制器IC时,就采用了0.13μm的BiCDMOS工艺。90nm的BiCDMOS工艺方面,有可能应用在混载逻辑电路等的系统电源用产品上。此次发布的产品采用的是0.6μm工艺。

  罗姆今后还将开发耐压为100V及150V等高耐压DC-DC转换器以及内置线圈等的DC-DC转换器模块。

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