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我国首款相变存储器芯片研制成功

导读: 相变存储器是当今全球半导体产业中炙手可热的领域之一,作为一种新型的存储设备,这一产品有望取代目前普遍使用的“闪存”。现在全球有望实现量产相变存储器的企业寥寥可数,而市场空间又格外巨大,中国企业跻身其间正当其时。

  国内存储器4月17日发来一则新闻引起行业内的关注:我国第一款具有自主知识产权的相变存储器(PCRAM)芯片研制成功,这将使我国的存储器芯片生产真正摆脱国外的技术垄断,并赶超世界先进水平,产业化前景可观。

  相变存储器是当今全球半导体产业中炙手可热的领域之一,作为一种新型的存储设备,这一产品有望取代目前普遍使用的“闪存”。现在全球有望实现量产相变存储器的企业寥寥可数,而市场空间又格外巨大,中国企业跻身其间正当其时。

  PCRAM芯片将可取代传统存储器,广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。据专家介绍,PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性,而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势,被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。

  目前,三星、IBM等世界级的公司正瞄准这一领域发力,对于中国半导体产业而言,在打破存储器芯片生产技术长期被国外垄断局面之际,是一个很好的发展契机。 这也将为我国存储器市场在全球电子领域发挥重要作用铺平了道路。

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