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Vishay推出N沟道功率MOSFET-SiR640DP和SiR662DP

导读: 两款器件在制造过程中采用了一种新的硅技术,该技术使用了优化的沟槽密度和特殊的栅极结构。对于设计者来说,更低的导通电阻意味着更低的传导损耗,从而降低功耗,尤其是在重载的情况下。

  宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 31 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积,即优值系数。

  40 V SiR640DP在10V和4.5V下的导通电阻为1.7mΩ和2.2mΩ,在10V和4.5V下的FOM分别为128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的导通电阻比最接近的竞争MOSFET低4%,而4.5V下的FOM则低15.5%。

  60V SiR662DP在10V和4.5V下的导通电阻分别为2.7mΩ和3.5mΩ,在10V和4.5V下的FOM分别为172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的导通电阻分别比最接近的同档次MOSFET分别低3.5%和27%,在10V和4.5V下的FOM分别低23%和57%。在器件的整个工作范围内,低导通电阻和低FOM将能够减少开关损耗。

     两款器件在制造过程中采用了一种新的硅技术,该技术使用了优化的沟槽密度和特殊的栅极结构。对于设计者来说,更低的导通电阻意味着更低的传导损耗,从而降低功耗,尤其是在重载的情况下。器件的低FOM能够降低高频和开关应用中的开关损耗,特别是在轻负载和待机模式下。器件的高频率使设计者能够增加其系统的功率密度,或是同时实现更低的功率损耗和更绿色的应用方案。

     SiR662DP和SiR640DP适用于DC/DC和AC/DC转换器中的次级侧同步整流、DC/DC转换器中的初级侧开关、负载点模块、电机驱动、桥式逆变器和替代机械式继电器的应用。典型终端产品包括通信电源、工业自动化和专业游戏机、不间断电源(UPS)和消费类应用。

     MOSFET的电压等级为4.5V,使许多设计者能够在其系统中使用现有的给数字逻辑电路供电的5V电源轨,无需再为10V电源轨腾出和寻找合适的空间。4.5V电压等级还能够大幅降低栅极驱动的损耗,同时还能够使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。
 

责任编辑:siliver
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